应用概述
锂电池保护电路中的控制实时监测电芯电压和回路中的工作电流、电压，通过控制MOS的开关使得电芯正常充放电；当电芯电压或回路中的工作电流超过（或电压低于）预设值时，IC将通过关断MOS而切断电芯充放电回路，以保证使用者及电芯的安全.
捷瑞德的沟槽工艺（Trench）MOSFET具有较强的EAS能力，在锂电池保护板应用中展现出优异抗短路冲击能力；另外trench MOS还有低内阻的特性，能够减小电池充放电时的发热量。
应用拓扑
产品推荐
充放电MOS：
N-channel Trench MOEFET：VDS=30V-150V Ron@10V（max）<11mΩ
N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET：VDS=30V-150V Ron@10V（max）<10mΩ
均衡MOS：
P-channel Trench MOSFET：VDS=-20V Ron@4.5V（max）=40mΩ-70mΩ VDS=-30V Ron@4.5V（max）=35mΩ-95mΩ
N-channel Trench MOEFET：VDS=20V Ron@4.5V（max）=15mΩ-45mΩ VDS=30V Ron@4.5V（max）=15mΩ-75mΩ
应用概述
锂电池保护电路中的控制实时监测电芯电压和回路中的工作电流、电压，通过控制MOS的开关使得电芯正常充放电；当电芯电压或回路中的工作电流超过（或电压低于）预设值时，IC将通过关断MOS而切断电芯充放电回路，以保证使用者及电芯的安全.
捷瑞德的沟槽工艺（Trench）MOSFET具有较强的EAS能力，在锂电池保护板应用中展现出优异抗短路冲击能力；另外trench MOS还有低内阻的特性，能够减小电池充放电时的发热量。
应用拓扑
产品推荐
充放电MOS：
N-channel Trench MOEFET：VDS=30V-150V Ron@10V（max）<11mΩ
N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET：VDS=30V-150V Ron@10V（max）<10mΩ
均衡MOS：
P-channel Trench MOSFET：VDS=-20V Ron@4.5V（max）=40mΩ-70mΩ VDS=-30V Ron@4.5V（max）=35mΩ-95mΩ
N-channel Trench MOEFET：VDS=20V Ron@4.5V（max）=15mΩ-45mΩ VDS=30V Ron@4.5V（max）=15mΩ-75mΩ
