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2012年捷瑞德（香港）企业有限公司成立2012年6月，捷瑞德（香港）企业有限公司成立，公司创始团队成员分别来自麻省理工学院，北京大学，香港科技大学，西安电子科技大学,他们均拥有微电子，半导体行业的学识背景和丰富的行业经验。 -
2013年获得港区政府和香港科技大学创业基金获得香港地区的创业专项资金和香港科技大学针对科技企业的创投基金 -
2014年捷瑞德深圳代表处成立2014年，捷瑞德成立深圳代表处，开始推广具有自主知识产权的MOSFET系列产品，包括"Trench"工艺的中低压MOSFET系列产品。 -
2015年捷瑞德上海代表处成立捷瑞德成立上海代表处，上海代表处的成立标志我们会以更好的服务，更快的速度对接华东地区的客户 -
2016SGT MOSFET推出SGT 屏蔽栅工艺的MOSFET。SGT MOS技术是分拆栅极屏蔽技术，Rds(on)和寄生电容可以做的比Trench沟槽工艺更低，因此开关损耗更低；同时由于SGT MOSFET具有更深的沟槽深度耗，抗雪崩能力更好。 -
2018年SJ MOS 开始量产捷瑞达不断完善产品序列，Super Junction 超结工艺的MOSFET开始量产以不断满足电力电子，工业电源，通讯电源，新能源汽车，充电桩，UPS, 太阳能逆变器等行业的需求。超结工艺具有更快的开关速度和极低的导通内阻Rds(on)。 -
2019Discrete IGBT推出分立型IGBT。捷瑞德不断完善产品序列，以高标准满足工业领域的各类型客户 -
2022年上海捷瑞德半导体有限公司成立上海代表处更名为上海捷瑞德半导体有限公司
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