SiC MOSFET在光伏逆变器的应用

浏览: 时间:2023-11-21
我司推荐一款1200V40m高压低导通电阻的国产SiCMOSFET,最大漏源电流56A(Tc=25C),工作结温范围-55C175C,最大耗散功率不高于300W,反向电容13pF,已在多家头部客户批产,性能反馈优异

光伏逆变器是将太阳能光伏电池板产生的直流电转换为交流电的关键设备。

“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”是光伏产业的趋势,光伏电站的电压等级也正逐步从1000V提升至1500V及以上。

光伏逆变器产品

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更高的电压等级对功率器件的物理性能提出了更高的要求,于是在光伏逆变器中碳化硅越来越被关注及使用。

相较于硅基功率器件,SIC MOS具有更低的导通损耗、更低的开关损耗、无电流拖尾现象、高开关速度等优点。同时SiC可以在高温等恶劣的环境中工作,有利于提高光伏逆变器的使用寿命。

我司推荐一款1200V 40mΩ高压低导通电阻的国产SiC MOSFET,最大漏源电流56A(Tc= 25°C),工作结温范围-55°C~175°C,最大耗散功率不高于300W,反向电容13pF,已在多家头部客户批产,性能反馈优异。

除了SiCMOS,我司在光伏逆变器中还可提供变压器、电感定制,电流传感器数字隔离器、MOS管、运算放大器TVS、热敏电阻等国产器件的选型匹配。全芯时代致力提供最优的芯片应用和流通解决方案,欢迎您持续关注我们!